BA159 SILICON DIODE / 1000V / 0.4A 300NS = BAV21

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SKU BA159

PRIMARY CHARACTERISTICS

IF(AV) 1.0 A

VRRM 400 V, 600 V, 800 V, 1000 V

IFSM 20 A

trr 150 ns, 250 ns, 500 ns

IR 5.0 µA

VF 1.3 V

TJ max. 125 °C

Package DO-204AL (DO-41)

Diode variation Single die